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李志坚

李志坚

李志坚（1928年5月1日-2011年5月2日），浙江宁波人，汉族，微电子技术专家，中国电子学家，中国科学院院士。1951年毕业于浙江大学物理系，1953年留学苏联列宁格勒大学，1958年获苏联列宁格勒大学物理-数学副博士学位。李志坚曾任清华大学微电子学研究所所长，半导体教研组主任，微电子学研究所长。1991年当选为中国科学院院士。他还曾担任国务院学术委员会专业评议组成员、国家中华人民共和国教育部科学技术委员会专业组组长、中国电子学会副理事长、清华大学学术委员会委员、清华大学信息科学技术学院学术委员会主任。2011年5月2日，李志坚因病医治无效在北京逝世，享年83岁。

人物经历

教育经历

工作经历

清华大学教授。50年代初，在半导体薄膜光电导和光电机理研究中，提出电子晶粒间界理论，在此基础上研制成高信噪比 pbs红外探测器。

1959年研制成高超纯多晶硅。60年代从事硅器件研究，其中平面硅工艺及高反压硅高频三极管成果，促进了国内有关的研究和生产。

1977年以后主要从事大规模、超大规模集成技术及器件物理的研究，领导、指导和直接参与了多种静态存储器，8位、16位高速微处理器、EEPROM和1兆位汉字ROM等超大规模集成电路芯片的研制工作，并取得成功。同时开发出3微米和1微米成套工艺技术。指导并发明半导体红外高速退火技术和设备。近期的研究包括：系统芯片集成和微电子机械技术。

1991当选为中国科学院院士（学部委员）。

主要成就

科研成就

科研综述

50年代初，在半导体薄膜光电导和光电机理研究中，提出电子晶粒间界理论，在此基础上研制成高信噪比 pbs红外探测器。

1958年提倡中国半导体发展应以硅技术为主的思想(当时国际上半导体器件的主流是锗晶体管)。1958年研制出超纯多晶硅，1960年研制出硅合金晶体管，1962-1963年又研制成功硅平面工艺和高反压(150V)硅平面晶体管。这些工作对中国半导体器件的早期发展有重要的推动作用。

1980年代在Si/Si02界面研究方面发表一系列论文，在国内外有相当影响。《MOS界面研究新技术》一文被选参加中美表面科学学术讨论会(美国科学院与中国科学技术协会主办)，被特邀参加INFOS'91(该领域国际上最著名学术会议)和聘为国际顾问委员会委员，国内被邀编写专论。以上部分成果曾获国家教委科技进步奖二等奖。对Si/Si02界面电子隧道穿透进行了深入研究，研制成功2kEEPROM存贮器，获1988年国家教委科技进步奖二等奖。

1996年国家安排IC卡研制，因EEPROM是其基本技术，清华大学得以在5个月内研制出全国第一块IC卡，显示了他在技术上的远见卓识。

1980年代初即看到快速(瞬态)热处理(通常为长时期的“稳态”热处理)技术对深亚微米集成电路发展的重要意义，而后又发现当时通用的激光退火方法的局限性，从而与钱佩信一起发明了“半导体快速热处理技术和设备”，取得中、美两国专利，并获得1990年国家发明奖二等奖。该成果已在国内推广，该设备是一台国内当前唯一不要进口的VLSI 先进工艺设备，已推向国外市场。

“六五”到“八五”3个五年计划期间，负责多项微电子技术和集成电路国家重点攻关任务。3次获得国家教委和电子部科技进步奖一等奖；“3微米LSI成套工艺技术和集成电路研究”获1987年国家科学技术进步奖二等奖；“1-1.5微米VLSI CMOS工艺及1兆位汉字库ROM”获1995年国家科技进步奖二等奖。

1990年代开始他主持国家重大基金项目“系统集成技术研究”。这是当前微电子前沿课题，他们发表的一系列论文已受到国际注视。他本人的工作，尤其在“微机械电子系统”方面有不少发明创造，包括国内首先研制成功的“带有转速自检测机能的微静电马达”等一批工作，使中国进入这一领域先进行列。他在这方面已在国内外主要刊物发表论文近30篇，申请多项美国发明专利，获准的已有5项。

他培养的大批优秀微电子人才中，有2名已当选为中国科学院院士。他亲自培养出的博士生，已有26名。

主要学术论文、著作目录

学术论著

主编出版了《半导体材料硅》《MOS大规模集成技术》《微电子技术中的MOS物理》等书，在国内外发表了论文200余篇。