欧文
欧文，毕业于浙江大学物理系，中国科技大学半导体物理专业硕士。主要负责项目“非挥发性存储器与逻辑电路兼容关键工艺技术研究”
人物经历
教育经历
1.浙江大学物理系本科毕业；
2.中国科技大学半导体物理专业硕士毕业；
工作经历
1.1992年9月－1997年7月：中国科学院微电子研究所第3研究室，助理研究员;
2.1997年7月－1998年7月：香港科技大学电子工程系，访问学者;
3.1998年7月－2004年5月：中国科学院微电子研究所第1研究室，课题负责人，副研究员;
4.2004年5月－2005年7月：中国科学院微电子所硅工程中心研究员课题负责人;
5.2005年9月-2007年3月：华润上华科技有限公司北京分公司工艺部经理；
6.2007年7月-2009年4月：渝德科技（重庆）有限公司C\u0026C部门经理；
7.2009年4月-至今：中国科学院微电子研究所十室副研究员，从事CMOS先进工艺技术和CMOS MEMS研究；
主要成就
研究方向
CMOS新器件，新工艺研究，CMOS MEMS研究。
代表论著
1、基于虚拟仪器的多通道MEMS加速度计自动化测试平台,红外与激光工程,2014,通讯作者
2、Fabrication of polyimide sacrificial layers with inclined sidewalls based on RIE technology,AIP Advances,2014,通讯作者
3、Nanopillar-forest based surface-enhanced Raman scattering substrates,SCIENCE CHINA Information Sciences,2014,通讯作者
4、设计 of thermopile-based infrared detectors with suspended absorber-thermopile bi-layers,CHINESE JOUＲNAL OF SENSOＲS AND ACTUATOＲS,2014,通讯作者
5、SOI二极管型非制冷红外焦平面结构的改进设计,红外与毫米波学报,2014,第2作者
6、一种基于悬浮吸收层的双层结构的热电堆红外探测器,传感技术学报,2014,通讯作者
7、Improved structure 设计 for SOI diode uncooled infrared focal plane arrays,Journal of Infrared And Millimeter Waves,2013,第2作者
8、Design and simulation of a high fill-factor SOI diode uncooled infrared focal plane arrays,？J. Micromech. Microeng,2013,第2作者
9、Fabrication of Nanopillar Forests with High Infrared Absorptance Based on Rough Poly-Si and Spacer Technology,Journal of Micromechanics and Microengineering,2013,第3作者
10、MEMS无源无线压力传感器研究,仪表技术与传感器,2013,第2作者
11、设计 and Fabrication of Novel Microlens-micromirrors Array for Infrared Focal Plane Array,微波 AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS,2012,第2作者
12、Fabrication of a 100percent fill factor 硅 microlens array,半导体学报,2012,第2作者
13、一种与CMOS工艺兼容的热电堆红外探测器,红外技术,2012,第2作者
14、Kinetics investigation of RIE lag phenomenon by GaAs ICP etching,China 半导体 Technology International Conference 2012,2012,第4作者
15、基于黑硅为吸收层的热电堆红外探测器,仪表技术与传感器,2012,第3作者
16、A 设计 of thermopile infrared detector based on 黑色 硅 as absorption,传感技术学报,2012,第3作者
17、CMOS 兼容的微机械热电堆红外探测器的设计,红外技术,2012,第3作者
18、SCDI Flash Memory Device II：Experiments andCharacteristics,半导体学报,2004,第1作者
19、SCDI Flash Memory Device I：Simulation and Analysis,半导体学报,2004,第1作者
20、Novel nonplanar Flash Memory Device,半导体学报,2002,第1作者
21、“四氟化碳预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究”，刘倜，欧文，半导体学报，2004，
22、“闪速存储器的单管多位技术”,李多力，欧文，微电子学，Vol.34,No.3,2004年6月，pp241-245
23、“SCDI Flash Memory Device II：Experiments andCharacteristics”，欧文，钱鹤，半导体学报，Vol.25,No.5,2004年5月,pp497-501
24、“SCDI Flash Memory Device I：Simulation and Analysis”，欧文，钱鹤，半导体学报，Vol.25,No.4,2004年4月，pp361-365
25、“深硅槽的刻蚀研究”，全国第十二届电子束、离子束、光子束学术会议论文集，2003年9月，北京，pp242-245
26、“光刻胶的刻蚀技术研究”，全国第十二届电子束、离子束、光子束学术会议论文集，2003年9月，北京，pp264-267
27、“Flash 器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性”，半导体学报，Vol.24,No.5,2003年,pp516-519
28、“Novel nonplanar Flash Memory Device”，半导体学报，2002年
29、“Flash Memory器件研究”，微纳电子技术，2002年
专利成果
（1）红外焦平面阵列器件及其制作方法,发明,2010,第1作者,专利号:201010267982.8
（2）非制冷红外探测器件及其制作方法,发明,2010,第1作者,专利号:201010262233.0
（3）非平面结构的非挥发性存储器单元及制作方法,发明,2003,第1作者,专利号:01139666.0
（4）嵌入式快闪存储器中隧穿氧化层的制备方法,发明,2005,第1作者,专利号:02120379.2
（5）红外焦平面阵列器件及其制作方法,发明,2010,第1作者,专利号:201010267967.8
（6）热电堆红外探测传感器及其制作方法,发明,2010,第1作者,专利号:201010267981.8
（7）微透镜阵列及其制作方法,发明,2011,第2作者,专利号:201110131361.6
（8）一种双面微透镜阵列及其制造方法,发明,2011,第2作者,专利号:201110126266.7
科研项目
在研主要项目
1.先进纳米CMOS关键工艺技术先导研究；
2.国家国家高技术研究发展计划“MEMS与IC集成制造技术及应用”方向”MEMS红外焦平面阵列及CMOS读出电路集成”研究。
完成主要项目
1.负责国家973项目“非挥发性存储器与逻辑电路兼容关键工艺技术研究”，圆满完成（2000年－2005年）；
2.负责“超深亚微米关键技术－多层布线技术的研究”，圆满完成任务（2001年－2005年）；
3.参加“九五”攻关项目“0.35um集成电路关键技术研究”和“0.1um级CMOS器件和性能研究”，圆满完成任务，共同获得北京市科技进步2等奖；
4.负责自主研制成功实验型CMP设备；
5.参加“八五”国家重点科技项目《HBT和HEMT基础技术研究》中“0.2-0.5um 微细加工及新结构异质结器件研究”，负责其中HBT新结构器件的研究；提出一种新的HBT器件结构和解决HBT器件中欧姆接触问题；获得优秀论文一篇；
6.参加中国科学院“八五”重大科研项目“新结构器件及微细加工研究”。
参考资料
欧文.中国科学院微电子研究所.2021-12-26
欧文.中国科学院大学-UCAS.2021-12-26