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常凯

常凯

常凯，男，1964年8月出生于安徽潜山，博士，博士生导师，中国科学院院士。中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室研究员、第十四届全国政协常委、中国民主同盟中央常委、民盟中央科技委员会主任。

常凯致力于半导体基础物理及其器件物理研究。1996年，常凯在北京师范大学物理系凝聚态物理专业获得理学博士学位。此后，他于1996至1998进入中科院半导体所超晶格国家重点实验室，并在1998年至2001年间赴安特卫普大学物理系进行合作研究。常凯曾担任多个重要学术会议的主席和委员，包括2013年第17届窄能隙半导体物理会议、2015年第18届国际程序委员会、同年的二维电子气物理会议（EP2DS-21）以及2016年第33届国际半导体物理大会（ICPS-33）。2020年起任国际纯粹与应用物理联合会（IUPAP）半导体分会（C8）委员。2024年1月4日，常凯加盟浙江大学，担任物理学院的讲席教授及博士生导师。

2001年，常凯入选中科院人才计划、2004年获得国家自然科学二等奖（排名第三）、2005年获得国家杰出青年基金资助、2013年荣获黄昆固体物理和半导体物理科学奖、同年入选国家百千万人才工程并被授予“国家有突出贡献的中青年专家”称号，2019年当选为中国科学院数理学部院士。

个人经历

早年经历

1964年8月，常凯在安徽潜山出生。1996年，他在北京师范大学物理系凝聚态物理专业获得理学博士学位。随后，常凯在1996年至1998年进入中科院半导体所超晶格国家重点实验室。1998年至2001年，他前往安特卫普大学物理系进行合作研究。

工作经历

2001年，常凯被选入中国科学院的人才计划，随后在2004年获得了国家自然科学二等奖，并在2005年获得了国家杰出青年基金的资助。2013年，常凯荣获黄昆固体物理和半导体物理奖，并被授予“国家有突出贡献的中青年专家”称号，同时被选入国家百千万人才工程。在国际学术领域，常凯积极参与并担任重要角色，包括2013年第17届窄能隙半导体物理会议的主席，2015年第18届国际程序委员会和同年在日本举行的二维电子气物理会议（EP2DS-21）的程序委员会委员，以及2016年第33届国际半导体物理大会（ICPS-33）的程序委员会主席。他还在中国物理学会中担任凝聚态理论与统计物理专业委员会以及半导体物理专业委员会的委员。2019年，常凯被选为中国科学院数理学部院士。2020年，他被任命为国际纯粹与应用物理联合会（IUPAP）半导体分会（C8）的委员。2024年1月4日，常凯加盟浙江大学，担任浙江大学物理学院讲席教授、博士生导师。

主要成就

科研成就

作为中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室的研究员，常凯专注于半导体物理的理论研究工作。他在半导体基础物理及其器件物理研究方面做出了显著贡献，共发表了111篇SCI论文，包括在《物理评论快报》（PRL）上的10篇、《自然材料》（Nature Materials）上的1篇、《自然纳米技术》（Nature Nanotechnology）上的1篇、《美国化学会纳米》（ACS Nano）上的1篇、《纳米研究》（Nano Research）上的1篇、《物理评论B》（PRB）上的36篇、《应用物理快报》（APL）上的20篇。这些论文不仅在学术界产生了广泛影响，被SCI他人引用超过2100次，而且多项工作得到了国际同行的认可，并被纳入综述文章和专著中。

论文

参考资料出自：

半导体极性界面调控量子结构理论

在科研创新方面，常凯提出了利用半导体极性界面调控量子结构能隙的理论，揭示了极性界面处存在的强局域电场对能带结构的显著影响，这一理论后来得到了实验验证。他的研究成果为人工设计半导体物性开辟了新途径，实现了半导体结构中的宽光谱光电响应，并在主流半导体如锗（Ge）和氮化铟（InN）中实现了拓扑相，打破了拓扑材料仅限于含有重元素的窄能隙体系的传统观念。