简单百科
姚淑德

姚淑德

姚淑德，女，北京大学教授，专业特长及近期研究方向为核物理应用。

1997年，与唐超群出版的期刊《非化学配比对BaTiO_3缺陷及晶粒大小的影响》收录于中文核心期刊要目总览(PKU)、中国科学引文数据库(CSCD)，主要讲述了对原子分数为0.25%的La掺杂的具有不同Ba和Ti原子数配比R的BaTiO3材料，通过正电子寿命测量和电镜观测，研究了R对材料缺陷及晶粒大小的影响。2000年，介绍高能电子和正电子在晶体中的沟道辐射，对超相对论电子和正电子在周期弯曲晶体中的相干辐射进行了分析，并提出了初步的实验设想的期刊《高能电子和正电子在晶体沟道中的辐射》出版。2008年至2011年间，相继发表《SiC材料中缺陷引起的磁性》《80 keV Ni+和Mn+注入ZnO磁学改性和注入剂量的影响研究》等期刊。2016年，发表了研究期刊《强离子辐照引起材料损伤研究立项报告》。

人物经历

1965年，姚淑德进入北京大学物理系学习。1970年，毕业后的姚淑德选择留在北大任教。1980年，在北京大学物理系研究生班毕业，之后，被北京大学聘为讲师、副教授、教授和博士生导师。1991年至1993年间，以访问学者的身份进入美国加州大学伯克利分校洛伦兹国家实验室，长期与比利时鲁汶大学开展国际合作。1991年，与吴名枋等人出版期刊《离子束合成法形成的Si/CoSi_2/Si/SiO_2/Si(100)结构》。1995年，出版期刊《退火方式和气氛对SIMOX材料质量的影响》，该期刊研究了退火程序、退火气氛和注人方式对SIMOX材料质量的影响，结果表明，采用二重或三重注人并在Ar+0.5%O2中退火，可以获得光滑平整的Si/SiO2界面和高质量的表面硅层。

1998年，相继出版期刊《C-N多晶的离子束合成及分析》《用磁控溅射方法合成C_3N_4》，其中，《C-N多晶的离子束合成及分析》介绍了用离子束合成法研制新型材料β-C3N4的条件及过程。

1999年，由半导体学报出版的姚淑德创作的期刊《异质外延GaN及其三元合金薄膜的RBS/channeling研究》中，阐述了用RBS/channeling技术研究异质外延GaN及其三元合金薄膜的重要性和必要性，报道了实验测量出的GaN及其三元合金AlGaN、InGaN膜的结构，给出了较为准确的元素种类、成分配比、薄膜厚度、合金元素的浓度随深度的分布、结晶品质、晶轴取向等信息，测出了几种薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比χ_(min)值(Al_(0.15)Ga_(0.85)N的χ_(min)值可低至1.17%)和沟道坑的半角度Ψ_(1/2)(GaN的半角宽为0.74°)，对于其他测试方法无法给定的中间层的情况及不同衬底对成膜的影响。

2000年，介绍高能电子和正电子在晶体中的沟道辐射，对超相对论电子和正电子在周期弯曲晶体中的相干辐射进行了分析，并提出了初步的实验设想的期刊《高能电子和正电子在晶体沟道中的辐射》出版。

2001年至2010年间，先后8次以兼职教授的身份访问美国加利福尼亚大学，并进行实验研究。2007年9月7日，美国德克萨斯州农业与工程大学（A\u0026M university）核工程学院主任Dr. K. L. Peddicord及前美国人体与辐射协会主席Dr. John Poston等一行七人访问了物理学院及技术物理系并座谈，姚淑德参加了此次会议。2002年，与王荣等人出版期刊《空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较》。2003年，相继出版《用卢瑟福背散射/沟道和X射线衍射研究ZnO的弹性应变》《MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱LED的稳定性及其与结构特性的关系》等期刊。

2006年，发表期刊《退火对Mg离子注入p-GaN薄膜性能的影响》，讲述了在用MOCVD方法生长的p-GaN薄膜中注入Mg离子，然后在N2气氛下在850～1150℃之间快速退火,研究了Mg+离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质，结果表明，离子注入使GaN晶体沿着a轴和c轴方向同时膨胀，在离子注入后的p-GaN薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300cm-1和360cm-1两个新峰，其强度随着退火温度而变化。这两个新峰分别对应于布里渊区边界的最高声学声子支的振动模式和局域振动模式。

2008年至2011年间，相继发表《SiC材料中缺陷引起的磁性》《80 keV Ni+和Mn+注入ZnO磁学改性和注入剂量的影响研究》等期刊，其中《80 keV Ni+和Mn+注入ZnO磁学改性和注入剂量的影响研究》一文中，表明了用Ni~+和Mn~+离子注入ZnO半导体可以具有铁磁性。

2013年，与潘惠平、李琳等人出刊期刊《蓝宝石衬底上生长的Ga_(2+x)O_(3-x)薄膜的结构分析》，讲述了利用卢瑟夫背散射/沟道技术和金属有机化学气相沉积方法，对蓝宝石衬底上在不同温度、压强下生长的Ga2+xO3-x薄膜进行结构和结晶品质的测量与分析；并结合高分辨X射线衍射分析技术，通过对其对称(02)面的θ-2θ及ω扫描，确定其结构类型及结晶品质，实验表明，在相同的生长温度(500°C)下，结晶品质随压强的下降而变好，生长压强为15Torr(1Torr=133.322Pa)的样品其结晶品质最好，沿轴入射之比χmin值为14.5%；在相同的生长压强(15Torr)下,结晶品质受生长温度的影响不大。

2016年，发表了研究期刊《强离子辐照引起材料损伤研究立项报告》，主要研究重在系统地深入了解在强离子辐照下材料，特别是新一代核能系统中结构和功能材料损伤的微观机理，探索原子尺度上的缺陷行为以及从原子、介观到宏观尺度的离子辐照损伤演化过程及其多尺度计算机模拟；研究环境因素对辐照损伤效应的影响，不同种类粒子辐照效应的特点、差异、相互之间的联系，探索和建立不同载能粒子辐照损伤之间的等价关系；为设计在裂变/聚变堆等极端环境下应用的抗强辐射材料提供参考和依据。2019年，姚淑德以二维材料器件输运性质与半导体材料离子注入特性研究参与申报当年的陕西省科学技术奖，随后，获得该奖项的提名。