本征激发
本征激发是指当半导体从外界获得一定的能量，如高于禁带宽度的光子照射，电子从价带顶端跃迁到导带底端，产生自由电子和自由空穴的现象。本征激发的容易程度受到禁带宽度的影响。本征半导体是指没有杂质和缺陷的半导体单晶，在高温下杂质半导体也可以转变为本征半导体，此时两种载流子（电子和空穴）同样都对导电起作用。
简介
当半导体的温度T\u003e0K时，有电子从价带激发到导带去，同时价带中产生了空穴，这就是所谓的本征激发。
一般来说，半导体中的价电子不完全像绝缘体中价电子所受束缚那样强，如果能从外界获得一定的能量(如光照、温升、电磁场激发等)，一些价电子就可能挣脱共价键的束缚而成为近似自由的电子（同时产生出一个空穴），这就是本征激发。这是一种热学本征激发，所需要的平均能量就是禁带宽度。
本征激发还有其它一些形式。如果是光照使得价电子获得足够的能量、挣脱共价键而成为自由电子，这是光学本征激发（竖直跃迁）；这种本征激发所需要的平均能量要大于热学本征激发的能量——禁带宽度。如果是电场加速作用使得价电子受到高能量电子的碰撞、发生电离而成为自由电子，这是碰撞电离本征激发；这种本征激发所需要的平均能量大约为禁带宽度的1.5倍。