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泛林集团

泛林集团

泛林集团（英文名：Lam Research，又称：泛林半导体），是全球半导体产业创新晶圆制造设备及服务主要供应商，总部位于加利福尼亚州弗里蒙特市，由David K. Lam创立于1980年，公司股票代码为纳斯达克股票交易所:LRCX，现任总裁为蒂姆·阿彻。

泛林集团于1981年推出首款等离子刻蚀机产品AutoEtch。1984年，泛林集团在美国纳斯达克上市。1992年，泛林集团开发了第一台ICP干法刻蚀设备。1997年，泛林集团收购芯片设备制造商OnTrak Systems Inc。2006年，泛林集团收购Bullen 半导体（即Silfex, Inc.）。2008年，泛林集团推出伽马发动机 GxT和GAMMA G400剥离系统。2014年，泛林集团进入原子层刻蚀领域。2019年1月，泛林集团在北京成立技术培训中心，开设了刻蚀和沉积技术的相关培训课程。2023年1月，泛林集团宣布裁员，理由是芯片需求放缓以及最新一轮禁止向中国出口芯片制造设备的规定。泛林集团提供薄膜沉积、等离子蚀刻、光刻胶剥离和晶圆清洗服务。其业务遍及美国、中国、欧洲、日本、韩国和东南亚等国家和地区。

泛林集团曾入选《巴伦》周刊最具可持续发展企业前100强，并获得2020年英特尔“供应商持续精进奖“。2024年，泛林集团位列2024年《财富》美国500强排行榜第237名。

历史沿革

泛林集团由出生在中国的David K. Lam创立于1980年。1981年，泛林集团推出首款等离子刻蚀机产品AutoEtch。1984年1月，泛林集团在美国纳斯达克股票交易所上市。1989年，泛林集团开发了支持0.8微米制程的刻蚀设备，为当时制程最先进的设备之一。

1992年，泛林集团开发了第一台ICP干法刻蚀设备。1995年，泛林集团在上一代ICP设备的基础上，开发了首款双频ICP介质刻蚀设备，并成功应用于350纳米制程芯片，成为当时最先进的刻蚀设备。1997年3月，泛林集团以2.25亿美元收购了专门从事化学机械平面化CMP清洗的芯片设备制造商OnTrak Systems Inc。2006年，泛林集团收购了Bullen 半导体（即Silfex,Inc.）。2008年，泛林集团收购了SEZ AG（即Lam Research AG）。同年，泛林集团推出伽马发动机 GxT和GAMMA G400剥离系统。2010年，泛林集团推出用于晶圆级封装的SABRE 3D ECD系统。2011年12月14日，泛林集团同意以33亿美元收购Novellus系统公司。该交易于2012年完成。2014年，泛林集团进入原子层刻蚀领域。2016年，泛林集团在美国弗里蒙特市开设了Lam Research Dr. Richard A. Gottscho实验室。

2018年，泛林集团在中国的营收总额约21亿美元。2019年1月，泛林集团在北京成立技术培训中心，建筑面积1280平方米，开设了刻蚀和沉积技术的相关培训课程。2020年，泛林集团发布了等离子刻蚀技术及系统解决方案，将刻蚀输出精度提升50%以上。2021年，泛林集团设定2050年实现碳净零排放的目标。2023年1月25日，泛林集团首席执行官蒂姆·阿彻在2023财年第二季度财报电话会议上宣布裁员，理由是芯片需求放缓以及最新一轮禁止向中国出口芯片制造设备的规定。

2024年12月2日，美国商务部公布多项措施，加强对中国芯片和制造设备的出口管制，再次升级对中国高科技产业的打压。路透社表示，这是拜登政府任内为打击中国芯片生产能力而采取的最后一次大规模行动之一，该出口管制可能会伤害到泛林集团、科磊（KLA）、应用材料等美国半导体设备厂商。

机构治理

管理层

董事会

分支机构

主要业务

泛林集团提供薄膜沉积、等离子蚀刻、光刻胶剥离和晶圆清洗服务。

解决方案

Semivers解决方案

Semiverse解决方案产品包括SEMulator 3D和OverViz。其中，SEMulator 3D是一个半导体工艺建模平台，可提供广泛的技术开发功能。基于高效的物理驱动体素建模技术，SEMulator 3D具有独特的能力来建模完整的工艺流程。从输入的设计数据开始，SEMulator 3D遵循集成的工艺流程描述来创建工厂中创建的复杂3D结构的虚拟等效物。SEMulator 3D工艺建模和分析用于快速准确地“虚拟制造”先进的纳米制造工艺，使工程师能够在开发过程的早期了解制造效果，并减少耗时且昂贵的硅片学习周期。OverViz是一种用于高保真等离子放电建模的工业模拟软件平台，主要应用于半导体蚀刻和沉积、优化制造配方和工艺、识别并纠正流程异常、等离子推进、尘埃和等离子体行为模拟及激光等离子体模拟等方面。

低温蚀刻

数据密集型AI应用需要显著改进内存技术，尤其是NAND闪存，包括更快的数据传输速度。计算需求激增导致处理内存系统内数据传输的功耗增加。芯片制造商需要从200层3D NAND扩展到更高层，以满足每比特成本降低的要求，同时减少对环境的影响。低温低温蚀刻可使用新型化学物质来提高高深宽比蚀刻能力。低温蚀刻可提高蚀刻速率、实现垂直高深宽比轮廓，并减少蚀刻工艺对环境的影响。通过使用专有和独特的技术，Lam已逐渐完善通道孔蚀刻技术。