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梁孟松

梁孟松

梁孟松，男，1952年7月出生，毕业于加利福尼亚大学伯克利分校电机工程及计算机科学系，师从胡正明教授，博士学位。电机和电子工程师学会院士（IEEE Fellow），拥有450多项专利，曾发表技术论文350余篇，主要从事内存储存器以及先进逻辑制程技术开发。

梁孟松现任中芯国际集成电路制造有限公司（全称中芯国际集成电路制造有限公司，证券代码：00981.HK/688981.SH）联合首席执行官，曾于2017年10月至2021年11月期间担任该公司执行董事。被列为中芯国际5名核心技术人员之一。

梁孟松曾任AMD（美国超威）工程师、台积电资深研发处长、三星电子芯片部门技术长，其拥有发明专利“集成电路结构的形成方法”“集成电路与其形成方法与电子组件专利”等。

个人经历

梁孟松1952年7月出生，在国立成功大学电机工程学系取得学士与硕士学位，后就读于加利福尼亚大学伯克利分校电机工程及计算机科学系，取得博士学位。师从半导体晶圆加工技术之父胡正明教授。

毕业后加入AMD（美国超威半导体公司）从事存储器研发。

1992年至2009年在中国台湾积体电路制造股份有限公司担任资深研发处长，是台积电近500个专利的发明人。2003年，梁孟松助力台积电在130纳米制程工艺中击败IBM。

2009年8月在三星电子旗下的成均馆大学任教。2010年10月，梁孟松在韩国成均馆大学担任访问教授。2011年2月，梁孟松加入三星任芯片部门技术长。

2017年10月加入中芯国际集成电路制造有限公司，被任命为联合首席执行官兼执行董事。被列为中芯国际5名核心技术人员之一。

2020年12月16日，中芯国际发布公告称，已知悉梁孟松博士有条件辞任的意愿，中芯国际正积极与梁博士核实其真实性辞任之意愿。

2021年11月11日，中芯国际公告，梁孟松不再担任执行董事，继续担任联合首席执行官。

主要成就

2016年2月份，中芯国际就宣布28纳米工艺进入设计定案阶段（tape-out），但良品率一直不稳定。2016年，梁孟松在其率领团队的努力下，不到一年就将中芯国际28纳米工艺良品率提升至85%以上。梁孟松2017年加入中芯国际后最突出的贡献是，带领团队在两年时间攻克了14nm芯片，并将技术推向了更先进的7nm节点。

作为专利发明人：集成电路结构的形成方法，专利号：CN201310390288.3。集成电路与其形成方法与电子组件，专利号：CN200410042978.0。